在現今封裝製程中，晶圓經由微影蝕刻後，會使用刀輪或雷射將其切割成單一晶片，接著以真空吸取及頂針等裝置，將晶片逐一取下。若切割或取下過程失敗，將導致晶片毀損，進而降低產能。因此，為了預防對於晶片的破壞並提升產能，探討晶圓切割及取下晶片的過程是重要的議題。而目前的晶圓分割方式，主要是於晶圓上預留切割道，再以刀輪或雷射進行切割。當欲將切割後之晶片從固定的膠膜取下時，需先進行擴片之動作，將膠膜撐開，增加晶片間的距離，以利晶片的取下。本實驗室團隊與日月光半導體製造股份有限公司進行產學合作，探討晶圓級(WLCSP)取晶片之擴片機制分析，建立一有效在進行晶圓擴片中，將膠膜撐開之動作模擬模型，並分析其晶片間距變化趨勢。建立其晶片間距之擴展機制分析，未來以利提高生產線上晶圓級(WLCSP)取晶片之良率。
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Physical model of diced wafer induced by tape expansion
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Simulation model(video) Δgap in MD and CD directions